5月14日，第三代半导体（885908）、碳化硅方向午后再度拉升，露笑科技（002617）(002617.SZ)涨停，天岳先进（688234）(688234.SH)、正帆科技（688596）(688596.SH)涨近20%，美迪凯（688079）(688079.SH)、燕东微（688172）(688172.SH)跟涨。

消息面上，THE ELEC5月14日报道，韩国第二大芯片代工厂DB HiTek(东部高科)未来的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)业务被推迟。6日，DB HiTek宣布，碳化硅和氮化镓的初始寄售生产(代工厂)的启动将从2026年第四季度推迟到2027年第一季度，推迟的原因未具体披露。5月14日，多位行业官员解释称，DB HiTek正在经历技术壁垒和行业增速放缓的双重打击，正因为如此，预计不排除DB HiTek的代工业务继续推迟的可能性。

另一边，三星电子已与部分合作伙伴就SiC生产所需新增设备的规模展开讨论。业内人士预测，三星电子将于今年开始建立供应链，预计2027年将建成原型生产试点生产线，并将于2028年开始量产SiC。

国投证券研报指出，CoWoS等先进封装（886009）已成为GPU+HBM高带宽互连的重要路径，但更高TDP与更大互连跨度使热点温升、CTE失配与可靠性问题凸显。SiC的“高热导率+高刚性+高耐温”特性，在超高功率密度的封装场景中有显著优势。在COWOS中介层应用中，SiC热导率显著高于硅，且具有高硬度与低热膨胀系数，有助于降低热点温度、抑制翘曲。作为散热基座时，SiC可缩短热扩散路径，提升整体散热与机械稳定性。在功率器件协同路径中，SiC器件的高耐压、高效率与高温可靠性可用于近封装电源管理场景，以提升供电效率。随着AI芯片功率密度越来越高，SiC从散热基座到中介层的应用有望在高端芯片封装领域中开始渗透。

投研机构Citrini于5月13日发布AI供应链报告，明确将SiC列为AI领域被严重忽略的核心主线。到2030年AI电源将占SiC电源市场的50%，衬底和设备需求有望增长近10倍。SiC在CoWoS先进封装（886009）中的应用规模将超过电源市场。当前百亿级市场，未来有望突破2000亿—3000亿。

国产厂商中，露笑科技（002617）在8英寸导电型及半绝缘型碳化硅晶体生长技术上取得关键突破，晶体良率获得显著提升，实现降本增效，关键缺陷位错密度进一步优化至业内第一梯队水平。相关产品已实现批量稳定生产，部分样品已送至国内头部客户进行测试验证。在半绝缘型产品方面，公司在原有6英寸技术基础上，成功开发并完善8英寸半绝缘型晶体生长工艺，掌握了高纯半绝缘粉料合成、晶体生长等核心技术，部分样品已送至国内头部客户进行测试验证。

据悉，露笑科技（002617）已实现晶体生长环节90%的原材料国产化率，晶片加工环节100%的原材料国产化率，产品成本优势进一步扩大。公司已顺利完成到8英寸的技术转化，并依托合肥基地一期200余台长晶炉的成熟产能，为后续规模化销售奠定了坚实基础。

值得注意的是，2026年初，公司在碳化硅大尺寸衬底领域取得突破性进展，成功开发出12英寸碳化硅衬底，标志着在大尺寸化方向上迈出关键一步，为下一代产品竞争奠定基础。目前，公司正积极推进12英寸衬底的工艺优化与客户验证准备工作。